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三星宣布 3nm 芯片成功流片:采用 GAA 架构,性能优于台积电

6 月 29 日晚间消息,据外媒报道,三星宣布,3nm 制程技术已经正式流片。据介绍,三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架构,性能优于台积电的 3nm FinFET 架构

三星宣布 3nm 芯片成功流片:采用 GAA 架构,性能优于台积电

报道称,三星在 3nm 制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加速为 GAA 架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的 3nm 制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET 的架构,而是采用 GAA 的结构。因此,三星采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

在技术性能上,GAA 架构的晶体管能够提供比 FinFET 更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下,GAA 的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由 Synopsys 和三星代工厂合作完成的。此前,三星曾在 2020 年完成 3nm 工艺的开发,但开发成功并不意味着,三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片,三星 3nm 芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。

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